Method for producing group iii nitride-based compound semiconductor crystal

WO2008072751 Art A1 19. Juni 2008

Anmelder: Toyoda Gosei Co., Ltd., NGK Insulators, Ltd., Osaka University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008072751
Aktenzeichen: EP07850672
Anmeldetag: 10. Dezember 2007
Veröffentlichung: 19. Juni 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B9/10H01L21/208

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Toyoda Gosei Co., Ltd.
NGK Insulators, Ltd.
Osaka University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

3.021 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

1.047 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von