Methods of etching into silicon oxide-containing material, methods of forming container capacitors, and methods of forming dram arrays

WO2008073196 Art A1 19. Juni 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008073196
Aktenzeichen: EP07861753
Anmeldetag: 8. November 2007
Veröffentlichung: 19. Juni 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8242H01L21/311H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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