Method and apparatus for ashing a substrate using carbon dioxide

WO2008073379 Art A1 19. Juni 2008

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008073379
Aktenzeichen: EP07853317
Anmeldetag: 11. Dezember 2007
Veröffentlichung: 19. Juni 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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