Gallium nitride based semiconductor device with reduced stress electron blocking layer
WO2008073525
Art A1
19. Juni 2008
Anmelder: Agere Systems, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008073525
- Aktenzeichen
- EP07813006
- Anmeldetag
- 17. Juli 2007
- Veröffentlichung
- 19. Juni 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01S5/20H01S5/343
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Agere Systems, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Agere Systems
Agere Systems war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus Lucent Technologies und später in LSI Corporation aufgegangen. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Telekommunikation und Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Akustik- und Softwaretechnik. Die Anmeldungen stammen überwiegend aus den Jahren 2000 bis 2009.
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