Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

WO2008073776 Art A2 19. Juni 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc., Hu, Yongjun Jeff 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008073776
Aktenzeichen: EP07865226
Anmeldetag: 5. Dezember 2007
Veröffentlichung: 19. Juni 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Micron Technology, Inc.
Hu, Yongjun Jeff
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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