Formation of in-situ phosphorus doped epitaxial layer containing silicon and carbon

WO2008073894 Art A1 19. Juni 2008

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008073894
Aktenzeichen: EP07865473
Anmeldetag: 10. Dezember 2007
Veröffentlichung: 19. Juni 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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