Improving adhesion of diffusion barrier on cu containing interconnect element

WO2008074672 Art A1 26. Juni 2008

Anmelder: NXP B.V., STMicroelectronics (Crolles 2) SAS 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008074672
Aktenzeichen: EP07857302
Anmeldetag: 7. Dezember 2007
Veröffentlichung: 26. Juni 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/321H01L21/768H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: NXP B.V.
STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.818 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von