Resistance change device and process for producing the same

WO2008075412 Art A1 26. Juni 2008

Anmelder: Fujitsu Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008075412
Aktenzeichen: EP06842899
Anmeldetag: 19. Dezember 2006
Veröffentlichung: 26. Juni 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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