Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

WO2008075581 Art A1 26. Juni 2008

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008075581
Aktenzeichen: EP07850361
Anmeldetag: 10. Dezember 2007
Veröffentlichung: 26. Juni 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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