Stress enhanced transistor and methods for its fabrication
WO2008076306
Art A1
26. Juni 2008
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., Advanced Micro Devices, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008076306
- Aktenzeichen
- EP07862867
- Anmeldetag
- 13. Dezember 2007
- Veröffentlichung
- 26. Juni 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Advanced Micro Devices, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
1.708 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.