Process for producing semiconductor device and semiconductor device

WO2008078363 Art A1 3. Juli 2008

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008078363
Aktenzeichen: EP06843090
Anmeldetag: 22. Dezember 2006
Veröffentlichung: 3. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/28H01L21/336H01L21/8238H01L27/092H01L29/423H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Technology Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

421 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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