Apparatus for manufacturing silicon oxide thin film and method for forming the silicon oxide thin film

WO2008078516 Art A1 3. Juli 2008

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008078516
Aktenzeichen: EP07850048
Anmeldetag: 4. Dezember 2007
Veröffentlichung: 3. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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