Ion injecting device, and ion injecting method

WO2008078636 Art A1 3. Juli 2008

Anmelder: National University Corporation Tohoku University, Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008078636
Aktenzeichen: EP07859877
Anmeldetag: 20. Dezember 2007
Veröffentlichung: 3. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01J37/317H01J37/32H05H1/46

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: National University Corporation Tohoku University
Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von