Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device

WO2008078637 Art A1 3. Juli 2008

Anmelder: National University Corporation Nagoya University, Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008078637
Aktenzeichen: EP07859878
Anmeldetag: 20. Dezember 2007
Veröffentlichung: 3. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/3065H01L21/316H01L29/78H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National University Corporation Nagoya University
Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National University Corporation Nagoya University

Japanische staatliche Universität mit umfangreicher Forschung in Naturwissenschaften, Technik und Medizin, unter anderem bekannt für Arbeiten zu LED-Technologie. Trägerin zahlreicher Patente aus Universitätsforschung in Japan.

702 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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