Dielectric element and method for producing the dielectric element
WO2008078652
Art A1
3. Juli 2008
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008078652
- Aktenzeichen
- EP07859900
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2007
- Veröffentlichung
- 3. Juli 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/316H01G4/12H01L21/822H01L21/8242H01L27/04H01L27/108H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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