Method for producing group iii nitride semiconductor layer, group iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

WO2008081717 Art A1 10. Juli 2008

Anmelder: Showa Denko K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008081717
Aktenzeichen: EP07850881
Anmeldetag: 19. Dezember 2007
Veröffentlichung: 10. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Showa Denko K.K.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Showa Denko

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, seit 2023 als Resonac Holdings firmierend. Aktiv in Petrochemie, Elektronikmaterialien, Batteriematerialien sowie Halbleiterchemikalien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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