Sram cell and sram device

WO2008081740 Art A1 10. Juli 2008

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008081740
Aktenzeichen: EP07850981
Anmeldetag: 20. Dezember 2007
Veröffentlichung: 10. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8244H01L21/8238H01L27/092H01L27/11

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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