Cocrpt-based sputtering target and method for production thereof
WO2008081841
Art A1
10. Juli 2008
Anmelder: Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008081841
- Aktenzeichen
- EP07860260
- Anmeldetag
- 26. Dezember 2007
- Veröffentlichung
- 10. Juli 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/34C22C19/00G11B5/851
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsui Mining & Smelting
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Nichteisenmetallen sowie der Herstellung von Materialien für die Elektronikindustrie.
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