Spin transistor using stray magnetic field

WO2008082051 Art A1 10. Juli 2008

Anmelder: Korea Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008082051
Aktenzeichen: EP07768597
Anmeldetag: 4. Juli 2007
Veröffentlichung: 10. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Institute of Science and Technology

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Seoul, das interdisziplinäre Forschung in Naturwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialtechnologie betreibt und zahlreiche Patente aus seinen Instituten hervorbringt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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