Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber

WO2008082518 Art A2 10. Juli 2008

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008082518
Aktenzeichen: EP07870925
Anmeldetag: 19. Dezember 2007
Veröffentlichung: 10. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H05H1/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von