Etching with improved control of critical feature dimensions at the bottom of thick layers
WO2008084365
Art A2
17. Juli 2008
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008084365
- Aktenzeichen
- EP07849530
- Anmeldetag
- 31. Dezember 2007
- Veröffentlichung
- 17. Juli 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B81C1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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