Method for manufacturing silicon epitaxial wafer
WO2008084519
Art A1
17. Juli 2008
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008084519
- Aktenzeichen
- EP07849893
- Anmeldetag
- 27. Dezember 2007
- Veröffentlichung
- 17. Juli 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L21/205H01L21/304H01L21/306H01L29/06H01L29/12H01L29/739H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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