Method for manufacturing silicon epitaxial wafer

WO2008084519 Art A1 17. Juli 2008

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2008084519
Aktenzeichen
EP07849893
Anmeldetag
27. Dezember 2007
Veröffentlichung
17. Juli 2008
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/336H01L21/205H01L21/304H01L21/306H01L29/06H01L29/12H01L29/739H01L29/78
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

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