Process Integration Scheme To Lower Overall Dielectric Constant in Beol Interconnect Structures

WO2008085257 Art A1 17. Juli 2008

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008085257
Aktenzeichen: EP07853361
Anmeldetag: 12. Dezember 2007
Veröffentlichung: 17. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/4763H01L23/48

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von