Forming a semiconductor device having a metal electrode and structure thereof

WO2008085667 Art A2 17. Juli 2008

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008085667
Aktenzeichen: EP07865724
Anmeldetag: 15. Dezember 2007
Veröffentlichung: 17. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/04H01L21/71H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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