Line End Shortening Reduction During Etch

WO2008086361 Art A1 17. Juli 2008

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008086361
Aktenzeichen: EP08727440
Anmeldetag: 8. Januar 2008
Veröffentlichung: 17. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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