Dram stacked capacitor and its manufacturing method using cmp

WO2008087498 Art A1 24. Juli 2008

Anmelder: STMicroelectronics (Crolles 2) SAS, NXP B.V., Freescale Semiconductor, Inc. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008087498
Aktenzeichen: EP07735078
Anmeldetag: 17. Januar 2007
Veröffentlichung: 24. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/8242H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
NXP B.V.
Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von