Manufacturing method of dram capacitors and corresponding device

WO2008087499 Art A1 24. Juli 2008

Anmelder: STMicroelectronics Crolles 2 SAS, NXP B.V., Freescale Semiconductor, Inc. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008087499
Aktenzeichen: EP07713238
Anmeldetag: 17. Januar 2007
Veröffentlichung: 24. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8242H01L21/02H01L27/108H01L27/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: STMicroelectronics Crolles 2 SAS
NXP B.V.
Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von