Mems capacitor circuit and method

WO2008087584 Art A1 24. Juli 2008

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008087584
Aktenzeichen: EP08702421
Anmeldetag: 15. Januar 2008
Veröffentlichung: 24. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H04B1/04H04B1/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.818 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Nachrichtentechnik & Telekommunikation

Vertreten von