Method for silicon thin film formation

WO2008087775 Art A1 24. Juli 2008

Anmelder: Nissin Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008087775
Aktenzeichen: EP07830729
Anmeldetag: 29. Oktober 2007
Veröffentlichung: 24. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L21/336H01L29/786H05H1/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissin Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von