Zno-based semiconductor light-emitting element and its manufacturing method
WO2008087856
Art A1
24. Juli 2008
Anmelder: Stanley Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008087856
- Aktenzeichen
- EP08702760
- Anmeldetag
- 11. Januar 2008
- Veröffentlichung
- 24. Juli 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/00H01L21/363
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Stanley Electric Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Stanley Electric
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