Method of damaged low-k dielectric film layer removal

WO2008088459 Art A1 24. Juli 2008

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008088459
Aktenzeichen: EP07862240
Anmeldetag: 20. November 2007
Veröffentlichung: 24. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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