Nand memory with dual control gates having fixed charge layer below control gates

WO2008088654 Art A1 24. Juli 2008

Anmelder: Sandisk Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2008088654
Aktenzeichen
EP07869533
Anmeldetag
19. Dezember 2007
Veröffentlichung
24. Juli 2008
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/28H01L21/336H01L21/8247H01L27/115H01L29/51
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Sandisk Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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