Non-volatile memory cell manufactured with cmos process steps

WO2008089227 Art A1 24. Juli 2008

Anmelder: Rambus, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008089227
Aktenzeichen: EP08713780
Anmeldetag: 16. Januar 2008
Veröffentlichung: 24. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336H01L21/8247H01L27/115H01L29/423H01L29/788

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rambus, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Rambus Inc.

Rambus ist ein US-amerikanisches Halbleiter- und Technologieunternehmen mit Sitz in Kalifornien. Die Patente betreffen Speicherschnittstellen, Chip-Sicherheit und Datenübertragung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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