Mask pattern designing method and semiconductor device fabrication method

WO2008090816 Art A1 31. Juli 2008

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008090816
Aktenzeichen: EP08703448
Anmeldetag: 18. Januar 2008
Veröffentlichung: 31. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G03F1/08G06F17/50H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik Software & Datenverarbeitung

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