Sputter method and sputter device

WO2008090982 Art A1 31. Juli 2008

Anmelder: Osaka Vacuum, Ltd., Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008090982
Aktenzeichen: EP08703909
Anmeldetag: 25. Januar 2008
Veröffentlichung: 31. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/56C23C14/34H01L51/50H05B33/10

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Osaka Vacuum, Ltd.
Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von