Technique for improving the performance and extending the lifetime of an ion source with gas dilution

WO2008091729 Art A2 31. Juli 2008

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008091729
Aktenzeichen: EP08713633
Anmeldetag: 8. Januar 2008
Veröffentlichung: 31. Juli 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/08H01J37/317H01J27/00H01J37/32H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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