Polycrystal silicon, polycrystal silicon base, manufacturing method thereof, and photoelectric conversion element using the polycrystal silicon base

WO2008093512 Art A1 7. August 2008

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008093512
Aktenzeichen: EP08702963
Anmeldetag: 9. Januar 2008
Veröffentlichung: 7. August 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C01B33/02C30B29/06H01L21/20H01L21/208H01L21/318H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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