Method for forming silicon/germanium containing drain/source regions in transistors with reduced silicon/germanium loss
WO2008094653
Art A2
7. August 2008
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008094653
- Aktenzeichen
- EP08725010
- Anmeldetag
- 31. Januar 2008
- Veröffentlichung
- 7. August 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
2.407 Patente in unserer Datenbank