A transistor with embedded silicon/germanium material on a strained semiconductor on insulator substrate
WO2008094699
Art A1
7. August 2008
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008094699
- Aktenzeichen
- EP08725097
- Anmeldetag
- 31. Januar 2008
- Veröffentlichung
- 7. August 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L21/8238H01L21/762H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
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