Thin film transistor manufacturing method, thin film transistor, thin film transistor substrate and image display apparatus, image display apparatus and semiconductor device

WO2008096768 Art A1 14. August 2008

Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008096768
Aktenzeichen: EP08710832
Anmeldetag: 6. Februar 2008
Veröffentlichung: 14. August 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336C23C14/08H01L21/20H01L21/308H01L21/363H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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