Non-volatile semiconductor memory device and method of making the same

WO2008096802 Art A1 14. August 2008

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2008096802
Aktenzeichen
EP08710895
Anmeldetag
31. Januar 2008
Veröffentlichung
14. August 2008
Rechtsraum
WO
IPC
H01L27/115H01L27/105H01L21/8246
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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