Insulating film material for organic thin film transistor and organic thin film transistor using the insulating film material
WO2008096850
Art A1
14. August 2008
Anmelder: Hitachi Chemical Company, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008096850
- Aktenzeichen
- EP08711006
- Anmeldetag
- 8. Februar 2008
- Veröffentlichung
- 14. August 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L21/312H01L51/05H01L51/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi Chemical Company, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi Chemical
Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.
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