Ultra-High Aspect Ratio Dielectric Etch

WO2008097920 Art A1 14. August 2008

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008097920
Aktenzeichen: EP08728953
Anmeldetag: 4. Februar 2008
Veröffentlichung: 14. August 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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