P-type mos transistor manufacturing method, method for manufacturing cmos-type semiconductor device using the p-type mos transistor, and cmos-type semiconductor device manufactured by the manufacturing method

WO2008099499 Art A1 21. August 2008

Anmelder: Fujitsu Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008099499
Aktenzeichen: EP07714359
Anmeldetag: 16. Februar 2007
Veröffentlichung: 21. August 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/28H01L21/8238H01L27/092H01L29/423H01L29/49H01L29/78

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Anmelder

Firma: Fujitsu Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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