Melt composition for gallium nitride single crystal growth and method for growing gallium nitride single crystal

WO2008099720 Art A1 21. August 2008

Anmelder: NGK Insulators, Ltd., Osaka University, TOYODA GOSEI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008099720
Aktenzeichen: EP08710824
Anmeldetag: 30. Januar 2008
Veröffentlichung: 21. August 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B9/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NGK Insulators, Ltd.
Osaka University
TOYODA GOSEI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

3.021 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von