Vapor deposition methods for forming a metal- containing layer on a substrate

WO2008100691 Art A2 21. August 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008100691
Aktenzeichen: EP08713998
Anmeldetag: 25. Januar 2008
Veröffentlichung: 21. August 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/40C23C16/455H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von