Final polishing process for silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer

WO2008102521 Art A1 28. August 2008

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008102521
Aktenzeichen: EP08702833
Anmeldetag: 29. Januar 2008
Veröffentlichung: 28. August 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/304B24B37/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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