Method for manufacturing gan semiconductor element

WO2008102806 Art A1 28. August 2008

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008102806
Aktenzeichen: EP08711667
Anmeldetag: 20. Februar 2008
Veröffentlichung: 28. August 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/28H01L29/417H01L29/423H01L29/49H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von