Multi-Layer Source/drain Stressor

WO2008103517 Art A1 28. August 2008

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008103517
Aktenzeichen: EP08713949
Anmeldetag: 24. Januar 2008
Veröffentlichung: 28. August 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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