High-voltage variable breakdown voltage (bv) diode for electrostatic discharge (esd) applications

WO2008103689 Art A1 28. August 2008

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008103689
Aktenzeichen: EP08743497
Anmeldetag: 20. Februar 2008
Veröffentlichung: 28. August 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H02H9/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik

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